Produkt

Leistungsmodule

Das duale NX-SiC-Modul

Effizienz und Kompatibilität

Gehäuse, die noch aus der Si-IGBT-Ära stammen, hemmen den Übergang zu Leistungsmodulen auf Basis der SiC-MOSFETs, da sie hohe parasitäre Induktivität aufweisen. ­Mitsubishi Electric löst das Problem mit einem modifizierten NX-Gehäuses mit einer internen, für SiC-MOSFETs geeigneten Busbar-Struktur.

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar...

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V...

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 1: Unerwartet holprige Geschäftsentwicklung

In den letzten Jahren war der Boom der Leistungshalbleiter ungebrochen, die jährlichen...

Advertorial: Würth Elektronik

Ein DC/DC-Power-Modul für viele Anwendungen

Moderne DC/DC-Power-Module müssen vielen Anforderungen zur gleichen Zeit gerecht...

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und...

Leistungselektronik von Forvia Hella

High Voltage PowerBox senkt Kosten und beschleunigt das Laden

Mit einer neuen High Voltage PowerBox (HV PowerBox) erweitert Forvia Hella sein...

Vishay

MOSFET-Treiber für hohe Temperaturen

Seit kurzem sind bei Rutronik die Power MOSFETs der Vishay E-Serie SIHD180N60ET4-GE3...

Entwickler- und Einkäufertage

CALL FOR PAPERS: Passive Bauelemente & Leistungshalbleiter

Zwei Themenbereiche, die für eine effiziente und leistungsfähige Leistungselektronik...

Passive BE & Leistungshalbleiter

Entwickler- & Einkäufertage: Call for Papers gestartet

Jetzt Vortragsvorschläge einreichen: Am 27. und 28. November veranstaltet die...